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Der EddyCus® ResMapper ist ein vollautomatisches Wafer-Messgerät zur vollflächigen Charakterisierung von Wafersubstraten oder -beschichtungen, um die Prozesssicherheit und die Qualitätssicherung, in der Halbleiterindustrie, zu gewährleisten.
Das System ist mit zwei kontaktlosen Wirbelstromsensoren, die im Transmissionsmodus arbeiten, ausgestattet. Damit kann die Homogenität des Substratmaterials oder der leitenden Beschichtung sehr detailliert dargestellt werden.
Ganz gleich welche Eigenschaft ihres Wafers sie Messen wollen, unser System ist in der Lage,
zu messen.
Bei der Entwicklung des Geräts wurde darauf Wert gelegt, Kontakte des Systems mit dem Wafer auf ein Minimum zu reduzieren, um die Integrität des Wafers nicht zu beeinflussen. Darum arbeitet das Gerät nahezu komplett berührungslos. Die Oberfläche des Wafersubstrats oder der Waferbeschichtung wird nicht berührt. Kontakt besteht ausschließlich punktuell und mit geringem Krafteinsatz an den Seitenflächen des Wafers. Schauen sie sich dazu gern unser Video zum EddyCus® ResMapper an, um den Handling-Vorgang zu verstehen.
Das Messgerät erstellt ein hochauflösendes, vollflächiges Mapping des Wafers oder der Beschichtung, das Ihnen einen tiefen Einblick in die Güte des charakterisierten Wafers ermöglicht. Je nach Einstellung und abhängig von ihren zeitlichen Anforderungen sind Mappings mit wenigen dutzend bis zu mehreren zehntausend Messpunkten möglich.
Die Software bietet darüber hinaus verschiedene Analysewerkzeuge, wie ein Histogram oder verschiedene Linienprofile. Damit sie sich ein Areal auf dem Wafer besonders detailliert anschauen können, können sie die betreffende Stelle mit dem Auswahlwerkzeug anwählen und wieder mittels Linienprofilen oder dem Histogram analysieren.
Der EddyCus® ResMapper besitzt eine Ladevorrichtung die einen Wafer-Carrier mit 150 mm (6 inch) Wafern und 200 mm (8 inch) Wafern aufnehmen kann. Die Wafer-Carrier besitzen eine Kapazität von 25 Wafern.
Das automatisierte Wafer-Handling ist ein wertvolles Instrument für Fertigungsunternehmen, die den Zeitaufwand für die Handhabung von Wafern reduzieren müssen. Unser automatisiertes Wafer-Handling-System hilft, die Arbeitskosten zu senken, die Genauigkeit der Wafer-Verarbeitung zu verbessern und das Risiko menschlicher Fehler zu verringern. Das System ist so programmiert, dass es Wafer präzise misst, handhabt und von der Kassette zur Messstation und zurück zur Kassette transportiert. Dadurch entfällt die Notwendigkeit einer manuellen Handhabung der Wafer, die zu Messfehlern und möglichen Schäden an den Wafern führen kann.
Ein Material mit breitem Bandabstand ist eine Art von Halbleitermaterial, dessen Energiebandlücke breiter ist als die eines Standardhalbleiters. Die Materialien mit breitem Bandabstand werden in der Halbleiterindustrie zur Herstellung von Transistoren und anderen integrierten Schaltungen verwendet. Diese Materialien sind für Halbleiter wichtig, da sie eine höhere Leistungseffizienz und schnellere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen. Materialien mit breitem Bandabstand haben auch eine höhere Durchbruchsspannung, was sie für Hochleistungsanwendungen geeignet macht. Außerdem sind sie strahlungsresistenter, was sie ideal für den Einsatz im Weltraum macht. Beispiele für Materialien mit breiter Bandlücke sind Siliziumkarbid, Galliumnitrid und Diamant. Diese Materialien werden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Stromversorgungen, Solarzellen und Laserdioden eingesetzt.
Der EddyCus® ResMapper ist in der Lage
Das Gerät hat einen großen Messbereich, wodurch beinahe alle denkbaren Anwendungen durch das Gerät gemessen werden können.
Für mehr Informationen schauen Sie sich das Datenblatt an.
Measurement technology | Non-contact high frequency eddy current sensor, Confocal sensor for TTV, warpage and bow |
Substrates | 150 mm and 200mm wafer |
Cassettes | 1 |
Edge effect correction / exclusion | 2 – 10 mm (depending on size, range, setup and requirements) |
Resistivity range |
0.1 – 1 mOhm·cm @ 2 to 5 % accuracy and repeatability < 1.5% |
Sheet resistance range |
0.001 – 0.01 Ohm/sq @ 1 to 3 % accuracy and repeatability < 0.5 % (6 decades with one sensor) |
Wafer thickness range | 300 – 1,000 μm (other on request) |
Thickness measurement of metal films (e.g. Aluminum, Copper) | 2 nm – 1 mm (in accordance with sheet resistance) |
Measurement patterns |
Standard ~ 22,000 points |
Measurement time | 30 – 90 s per wafer (depending on measurement points) |
Safety variants |
System protected by safety laser scanners |
Device dimensions (w/d/h) | 785 mm x 1,170 mm x 666 mm / 30.91“ x 46.06“ x 26.22“ |
Available features | Total thickness variation (TTV), warpage carrier ID reader, customized data interface, API for customer software integration |
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