铸坯和铸锭表征

晶锭生长对优质半导体应用至关重要,例如在光致缺陷、位错和晶界方面。除科氏法等尖端工艺外,还存在其他晶体生长技术,例如气相或液相生长法。为维持并提升成本效益,可采用高频涡流技术对晶锭进行表征分析。

测试

  • 电阻率
  • 阻抗
  • 均质性
  • 缺陷检测
  • Facette formation

应用

  • 非接触式高分辨率反射式布勒电阻率传感器
  • 从不同穿透深度获取电学阻抗
  • 自动化高分辨率成像解决方案

更多资源

  • SEMI MF673 — 采用非接触式涡流测厚仪测量半导体晶圆电阻率或半导体薄膜面电阻的测试方法
  • SEMI M59 — 硅技术术语
  • SEMI MF81 — 硅片径向电阻率变化测量测试方法
  • SEMI MF84 — 在线四点探针法测量硅晶圆电阻率的测试方法
  • SEMI MF374 — 采用在线四点探针与单配置程序测试硅外延层、扩散层、多晶硅层及离子注入层面电阻的方法
  • SEMI MF1527 — 硅电阻率测量仪器校准与控制用认证标准物质及标准晶圆应用指南