晶体光伏
目前已有多种基于高效晶圆的电池技术可实现大规模量产。制造成本对电池和组件至关重要。为在最低制造成本下实现最高效率，必须监控以下沉积工艺：
- 金属网格
- 电极
- 缓冲层或种子层
- 氧化隧道
- 钝化层
测试
- 板材阻力
- 电导率
- 厚度
- 均质性
- 缺陷检测
应用
- 进货检验
- 晶圆测试
- 沉积工艺控制
- 质量控制
- 最终检验
基板
- n型硅
- p型硅
流程
- 内联
- 承运人
环境
- 在真空状态下和脱离真空状态下
- 原位与异位
- 在线和离线
类型
- HJT/ HIT
- PERC/PERT
- 拓普康
- 国际标准容器
- 并列
- 钙钛矿-异质结-串联
晶圆入库检验用例
多晶或单晶硅晶圆的入厂检验专用于通过高频涡流技术进行面电阻特性分析。测量任务可通过单独的面电阻特性分析实现，或与厚度测量相结合完成。
用例钝化
通过感应方法（如高频涡流技术）可监测晶圆的钝化过程，以最大限度地减少复合效应。