导言
EddyCus® ResMapper是一种全自动晶片成像设备（全自动型），配有自动晶片盒处理系统，用于晶片基底或涂层的全面积表征，以确保半导体行业的工艺可靠性和质量保证。
该系统配备了两个非接触式涡流传感器，以传输模式运行。这样就可以非常详细地显示基底材料或导电涂层的均匀性。
该设备通常用于
- 电阻率 0.1 - 100 mOhm-cm、
- 板材电阻从 0.0001 - 100,000 欧姆/平方英寸不等、
- 薄膜的金属层厚度从 2 纳米到 1 毫米不等、
- 总厚度变化范围为 300 - 1,000 µm 和
- 弓距 ± 1 毫米。
传感器功能
- 片状电阻 [0.0001 - 100,000 欧姆/平方英寸］
- 金属层厚度 [2 纳米 - 1 毫米］
- 电阻率 [0.1 - 100 欧姆-厘米］
光学传感器功能
- TTV [300 - 1,000 微米］
- 弓形 [± 1 毫米］
支撑基底
150 毫米和 200 毫米晶片（硅、碳化硅等）
功能和优点
2 - 8 英寸晶片
非接触式顶部和底部
各种分析选项
多参数测量
高吞吐量
最多每小时 60 个晶片
高分辨率映射
易于使用
Small Footprint
< 1 sqm
片状电阻成像
金属层厚度成像
电阻率成像
3D 查看器
扫描结果
创新的浮动晶片技术
在该装置的开发过程中，重点是尽量减少系统与晶片的接触，以免影响晶片的完整性。因此，该设备的工作几乎完全是非接触式的。晶片基板或涂层的顶部和底部都不会接触。只选择性地接触晶片的侧表面，且接触力很小。请观看我们关于 EddyCus® ResMapper 的视频，了解处理过程。
广泛的测量能力
该设备的薄层电阻测量范围在 1 毫欧/平方到 100 千欧/平方（0.0001 - 100,000 欧姆/平方）之间。较宽的薄层电阻范围使得金属层厚度范围在 2 纳米到 1 毫米之间。我们的薄层电阻计算器有助于确定我们的设备是否适合您的测量需求。
- 电阻率 0.1 - 100 mOhm-cm、
- 板材电阻从 0.0001 - 100,000 欧姆/平方英寸不等、
- 薄膜的金属层厚度从 2 纳米到 1 毫米不等。
它可以检测硅或砷化镓等各种晶片类型和材料的不同厚度和电气性能。
其他光学测量功能
除了片状电阻、由此产生的金属层厚度和电阻率之外，该设备还能利用光学传感器检测晶片基板的特性。
- 总厚度变化范围为 300 - 1,000 µm 和
- 弓形 ± 1 毫米
该工具能够检测从微观裂纹到薄膜厚度变化等各种缺陷，从而加强了质量控制，并消除了对多种工具的需求，简化了工作流程并降低了成本。
高分辨率、高通量全表面晶片测绘
测量设备对晶片或涂层进行高分辨率、全面积成像，让您深入了解特性晶片的质量。根据设置和您的时间要求，可以进行几十个到几万个测量点的成像。
软件还提供各种分析工具，如直方图或各种线剖面图。要查看晶片上某个区域的具体细节，可以使用选择工具选择相关位置，然后使用线剖面图或直方图再次进行分析。
EddyCus® ResMapper 的吞吐量为每小时 45 个晶片，每天约 1,000 个晶片。
用于 2 英寸至 200 毫米开放式晶圆盒中的晶圆
全自动晶圆成像系统 EddyCus® ResMapper 有一个装载装置，可容纳装有150 毫米（6 英寸）晶圆和200 毫米（8 英寸）晶圆的晶圆载体。晶片载体可容纳 25 个晶片。还可通过标准适配器支持 2-4 英寸晶片。
自动晶片处理系统
晶圆成像时，晶圆从晶圆盒转移到涡流传感器，然后再放回晶圆盒。对于希望减少晶圆处理时间的制造企业来说，自动晶圆处理是一个有用的工具。我们的自动晶片处理技术可降低人工成本，提高处理精度，并减少人为错误的可能性。晶圆由系统精确测量、处理和运输，从晶圆盒到测量站，再返回晶圆盒。这样就不再需要人为操作晶片，从而避免了测量误差和潜在的晶片损坏。
专用于宽带隙材料，如 SiC、GaN
一种被称为宽带隙材料的半导体材料的能带隙比一般半导体的能带隙更宽。半导体行业使用宽带隙材料制造晶体管和其他集成电路。这些元件对半导体至关重要，因为它们能提供更高的功率效率和更快的开关时间。宽带隙材料适用于大功率应用，因为它们的击穿电压也更高。它们能更好地抵御辐射，因此非常适合用于太空应用。碳化硅、氮化镓和金刚石就是宽带隙材料的几个例子。许多不同的应用，如电源、太阳能电池和激光二极管，都使用了这些材料。
集板材电阻、金属层厚度、电阻率、TTV 和弓形于一体的设备
配备自动晶片处理系统 EddyCus® ResMapper 的全自动晶片成像工具能够确定
- 板材阻力和
- 薄膜的厚度以及
- 电阻率
- TTV
- 晶片基板的弓形
该设备的测量范围很大，这意味着几乎所有能想到的应用都可以用它来测量。
小足迹
全自动型设备的占地面积小于 1200 x 800 毫米，因此可以放在桌子上。占地面积仅为 0.93 平方米，非常小。由于洁净室的空间非常有限，因此每平方米都很重要。ResMapper 凭借其多功能测量能力，可将多个设备合二为一，从而节省更多空间。这不仅节省了空间，还节省了资金。
EddyCus® ResMapper 视频
通过视频，您可以了解如何使用 ResMapper。可以分析哪些材料以及设备的总体工作原理。
EddyCus® ResMapper 数据表
设备功能
| 测量技术 | 非接触式高频涡流传感器、 用于 TTV 和弓形的共焦传感器 |
| 基板 | 2 - 8 英寸威化饼 |
| 磁带 | 1 |
| 边缘效应修正/排除 | 2 - 10 毫米（取决于尺寸、范围、设置和要求） |
| 测量模式 | 标准 ~ 22,000 点 积分 9 / 17 / 49 / 81 / 99 / 169 / 625 / ..../ 100,000 |
| 测量时间 | 每个晶片 30 - 90 秒（取决于测量点） |
| 安全变体 | 系统由安全激光扫描仪保护 封闭式系统 |
| 设备尺寸（宽/高） | 785 毫米 x 1 170 毫米 x 666 毫米 / 30.91 英寸 x 46.06 英寸 x 26.22 英寸 |
| 可用功能 | 总厚度变化 (TTV)、 载体 ID 阅读器、 个性化数据接口、 用于客户软件集成的 API |
测量能力
| 板材电阻测量 | |
|---|---|
| 板材电阻范围 |
0.0001 - 100,000 欧姆/平方（可根据要求增大） (一个传感器最多可测量 6 个十年） |
| 准确性 | 1 - 3 % |
| 重复性 | < 0.5 % | 金属膜（如铝、铜）厚度测量 |
| 金属层厚度范围 | 2 nm - 1 mm（与板材电阻有关） | 电阻率测量 |
| 电阻率测量范围 |
0.1 - 1 mOhm-cm @ 2 - 5 % 精度 1 - 100 mOhm-cm @ 1 - 3 % 精度 |
重复性 | < 1.5% | 晶片厚度测量 |
| 晶片厚度范围 | 300 - 1,000 μm（根据要求提供其他规格） |