Projekt niniAs
Projekt: niniAs Entwicklung einer nicht-invasiven in-situ Analysemethode zur Schichtdickencharakterisierung in PVD-Prozessen Entwicklung eines integrierten Messsystems, das während des PVD-Prozesses simultan Schichtwiderstand und Temperatur präzise erfasst. Dazu werden zunächst die elektrischen Eigenschaften von Metallschichten unter variierenden Temperaturbedingungen experimentell untersucht. Parallel dazu werden Modelle zur Auswertung des zeitlichen Verhaltens der elektrischen Signale entwickelt und mit den Messdaten […]
Projekt MixItUp
Projekt: MixItUp Entwicklung einer Inline-Methode zur elektrischen Charakterisierung des Slurrys mittels Wirbelstromsensor Entwicklung einer neuartigen Messmethode für die In-situ-Charakterisierung von Slurrys in der Batterieproduktion Optimierung eines Wirbelstromsensors mit FPGA-basierter Echtzeit-Signalverarbeitung und direkte Integration in die Slurry-Produktion Abgleich der Messwerte in einer Prozessparameter-Datenbank Validierung der Methode in einem Teststand und anschließende Übertragung auf eine Pilotlinie Definition […]
Projekt Metropro
Projekt: METROPRO Prozessnahe Metrologie von hochproduktiven Vakuummetallsierungsprozessen auf bis zu 300 mm Wafern Entwicklung berührungsloser in-situ Messlösungen für elektrische Eigenschaften von Metallschichten mittels Wirbelstrommessung Anwendungen in Halbleitertechnik, Quantensystemen, Frequenzfiltern und kristallinem Schichtwachstum Stärkung der internationalen Wettbewerbsposition sächsischer Unternehmen Retrofit bestehender Anlagen und Integration in Neuanlagen Erhöhung der Qualitätssicherung und des Automatisierungsgrads Projektlaufzeit: 01.07.2025 – 31.12.2027
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SURAGUS Product Overview SURAGUS Product Overview Non-contact eddy current measurement systems for sheet resistance, layer thickness, resistivity, and further electrical parameters – from handheld devices to full inline integration. Single Point – Handheld & Benchtop ‹ › Handheld EddyCus® Portable Portable handheld device for non-contact sheet resistance measurement directly on-site. Instant results on the integrated […]
Displacement Measurement
Displacement Measurement: The Complete Guide to Eddy Current and Capacitive Sensors Displacement measurement is the process of determining the distance, position, or movement between a sensor and a target object. Modern industrial applications demand measurement accuracy in the micrometer or nanometer range – a challenge that only specialized non-contact sensors can meet. This guide explains […]
Parameter Matrix
Parameters We Measure Our precision instruments cover a comprehensive range of measurement parameters for industrial applications. Sheet Resistance 8 µΩ/sq – 300,000 Ω/sq Metal Layer Thickness 1 nm – 2 mm Resistivity 1 – 3,000 mΩ·cm Electrical Anisotropy 0.33 – 3 MD/TD Emissivity 0.003 – 0.5 Areal Weight 1 – 100 g/m² Defects & Geometry […]
Product Matrix
Overview of SURAGUS Products Single Point Measurement Solutions EddyCus® Portable Handheld for quick checks of flat materials EddyCus® Portable PS Handheld with external sensor for quick checks of bulk materials or curved surfaces EddyCus® lab 2020 TM Benchtop for flat materials such as foils, wafer or glass EddyCus® lab 2020 RMB Benchtop for bulk materials […]
Thickness Measurement for Feed Forward Etch Process Control
Inline Thickness Measurement for Feed-Forward Etch Process Control Enabling Sub-Nanometer CD Uniformity Through Pre-Etch Film Characterization As semiconductor devices continue to scale toward atomic dimensions, the margin for process variation has shrunk dramatically. At the 5 nm technology node, allowable critical dimension (CD) variation across the wafer is less than 0.5 nm—equivalent to just two […]
CMP Process Monitoring and Endpoint Detection
CMP Process Monitoring and Endpoint Detection Enabling Real Time Metal Film Thickness Measurement for Precision Planarization Control Chemical Mechanical Planarization (CMP) is an indispensable process in modern semiconductor manufacturing, enabling the global planarization required for multilevel interconnect structures at advanced technology nodes.As device geometries shrink below 10 nm and interconnect layers exceed 20 levels, precise […]